Home
For authors
Submission status

Current
Archive (English)
Archive
   Volumes 61-80
   Volumes 41-60
   Volumes 21-40
   Volumes 1-20
   Volumes 81-92
      Volume 92
      Volume 91
      Volume 90
      Volume 89
      Volume 88
      Volume 87
      Volume 86
      Volume 85
      Volume 84
      Volume 83
      Volume 82
      Volume 81
Search
VOLUME 92 | ISSUE 9 | PAGE 672
Интерфейсные D- комплексы в двумерной электронной системе
А. С. Журавлев, Л. В. Кулик, В. Е. Бисти, И. К. Дроздов, В. Е. Кирпичев, И. В. Кукушкин
Институт физики твердого тела РАН, 142432 Черноголовка, Россия
Abstract
Методом неупругого рассеяния света исследован спектр возбуждений двумерной электронной системы в высококачественных AlGaAs/GaAs квантовых ямах. Идентифицированы новые линии неупругого рассеяния света возбуждений интерфейсных D- комплексов - объектов, в которых два электрона, локализованных в квантовой яме, связываются с заряженной примесью, расположенной на интерфейсе квантовой ямы. Обнаружено, что основное состояние интерфейсных D- комплексов изменяется в магнитном поле, перпендикулярном плоскости квантовой ямы, со спин-синглетного на спин-триплетное аналогично тому, как изменяется основное состояние системы двух электронов, локализованных в гармоническом потенциале.


Download PS file (GZipped, 165K)  |  Download PDF file (196.3K)


Список работ, цитирующих данную статью, см. здесь.

List of articles citing this article can be found here.