Home
For authors
Submission status

Current
Archive (English)
Archive
   Volumes 61-80
   Volumes 41-60
   Volumes 21-40
   Volumes 1-20
   Volumes 81-92
      Volume 92
      Volume 91
      Volume 90
      Volume 89
      Volume 88
      Volume 87
      Volume 86
      Volume 85
      Volume 84
      Volume 83
      Volume 82
      Volume 81
Search
VOLUME 92 | ISSUE 9 | PAGE 659
Бозе-конденсация экситонных поляритонов в высокодобротных планарных микрорезонаторах c GaAs квантовыми ямами
В. Д. Кулаковский, А. В. Ларионов, С. И. Новиков, С. Хефлинг+, К. Шнайдер+, А. Форхел+

Институт физики твердого тела РАН, 142432 Черноголовка, Московская обл., Россия
+Университет Вюрцбурга, Вюрцбург, Германия

Abstract
Исследована конденсация экситонных поляритонов в планарных микрорезонаторах (МР) c GaAs/AlAs квантовыми ямами в активной области. Найдено, что увеличение времени жизни поляритонов до \sim 10 \div 15 пс при повышении добротности МР Q выше 7000 позволяет реализовать бозе-конденсацию поляритонов с доминирующей (>90%) долей фотонной компоненты. Конденсация происходит в термодинамически неравновесных условиях в латеральных ловушках с диаметром \sim 10 мкм, образующихся благодаря крупномасштабным флуктуациям потенциала поляритонов. Фиолетовый сдвиг линии излучения поляритонов на пороге конденсации существенно превосходит величину энергии отталкивательного взаимодействия поляритонов в конденсате. Показано, что основной причиной сдвига является уменьшение силы осциллятора светлых экситонов в латеральных ловушках, вызванное локализацией в них фотовозбужденных долгоживущих темных экситонов.


Download PS file (GZipped, 618.7K)  |  Download PDF file (397.2K)


Список работ, цитирующих данную статью, см. здесь.

List of articles citing this article can be found here.