Home
For authors
Submission status

Current
Archive (English)
Archive
   Volumes 61-80
   Volumes 41-60
   Volumes 21-40
   Volumes 1-20
   Volumes 81-92
      Volume 92
      Volume 91
      Volume 90
      Volume 89
      Volume 88
      Volume 87
      Volume 86
      Volume 85
      Volume 84
      Volume 83
      Volume 82
      Volume 81
Search
VOLUME 92 | ISSUE 6 | PAGE 429
Начальные стадии эпитаксии Ge на Si(111) в квазиравновесных условиях роста
C. А. Тийс, Е. М. Труханов, А. С. Ильин, А. К. Гутаковский, А. В. Колесников

Институт физики полупроводников Сибирского отд. РАН, 630090 Новосибирск, Россия

Abstract
Представлены результаты структурных и морфологических исследований роста Gе на поверхности Si(111) на начальных стадиях эпитаксии с помощью сканирующей туннельной микроскопии и просвечивающей электронной микроскопии высокого разрешения. Эпитаксия Ge осуществлялась в диапазоне температур 300-550 °C в квазиравновесных условиях роста при малых скоростях осаждения 10-3 -10-2 бислоя в минуту. Для нанокластеров экспериментально зарегистрированы стадии их образования и распада в результате перераспределения атомов Ge в двумерные псевдоморфные островки Ge до образования сплошного смачивающего слоя. Выполнен анализ мест преимущественного зарождения трехмерных островков Ge на смачивающем слое, образующемся после срастания двумерных островков. При изменении напряженного состояния трехмерных островков Ge на их поверхности происходят фазовые переходы c2\times8 \longrightarrow 7\times7 \longrightarrow {\rm c}2\times8, обусловленные латеральным разрастанием островков и пластической релаксацией напряжений несоответствия. В процессе релаксации в границе раздела накапливаются дислокации несоответствия, а также образуются два типа ступеней высотой ниже 1 бислоя на поверхности трехмерных островков


Download PS file (GZipped, 3520.8K)  |  Download PDF file (1201.5K)


Список работ, цитирующих данную статью, см. здесь.

List of articles citing this article can be found here.