Home
For authors
Submission status

Current
Archive (English)
Archive
   Volumes 61-80
   Volumes 41-60
   Volumes 21-40
   Volumes 1-20
   Volumes 81-92
      Volume 92
      Volume 91
      Volume 90
      Volume 89
      Volume 88
      Volume 87
      Volume 86
      Volume 85
      Volume 84
      Volume 83
      Volume 82
      Volume 81
Search
VOLUME 92 | ISSUE 6 | PAGE 420
Резонансное микроволновое фотосопротивление в двухподзонной электронной системе при больших факторах заполнения
А. А. Быков, Е. Г. Мозулев*, А. К. Калагин

Институт физики полупроводников Сибирского отд. РАН, 630090 Новосибирск, Россия
*Новосибирский государственный университет, 630090 Новосибирск, Россия

Abstract
Исследовано микроволновое фотосопротивление в двойной GaAs квантовой яме с двумя заполненными подзонами размерного квантования E1 и E2 при температурах T = 1.6 - 4.2 K в магнитных полях B < 0.5 Тл. Установлено, что микроволновое фотосопротивление в такой системе имеет максимальную амплитуду в условиях, когда максимум магнето-межподзонных осцилляций с номером k=(E_2-E_1)/\hbar \omega_c совпадает с максимумом или минимумом ω/ωc-осцилляций, где ω - круговая частота микроволнового излучения, ωc - циклотронная частота. Показано, что резонансное фотосопротивление, возникающее в максимумах магнето-межподзонных осцилляций с номером k, определяется условием: \hbar \omega/(E_2-E_1)=(j \pm 0.2)/k, где k и j - целые положительные числа.


Download PS file (GZipped, 186.9K)  |  Download PDF file (199.3K)


Список работ, цитирующих данную статью, см. здесь.

List of articles citing this article can be found here.