Home
For authors
Submission status

Current
Archive (English)
Archive
   Volumes 61-80
   Volumes 41-60
   Volumes 21-40
   Volumes 1-20
   Volumes 81-92
      Volume 92
      Volume 91
      Volume 90
      Volume 89
      Volume 88
      Volume 87
      Volume 86
      Volume 85
      Volume 84
      Volume 83
      Volume 82
      Volume 81
Search
VOLUME 92 | ISSUE 5 | PAGE 357
Формирование наноэлектростатических квантовых точек и двумерных подзон флуктуационным потенциалом доноров Mn в p-i-n резонансно-туннельных гетеросистемах
В. А. Ковальский, Е. Е. Вдовин, Ю. Н. Ханин
Институт проблем технологии микроэлектроники и особо чистых материалов РАН
142432 Черноголовка, Московская область, Россия

Abstract
Изучено влияние флуктуационного потенциала примесей Mn в p-i-n резонансно-туннельных структурах на электронный транспорт. Продемонстрирована возможность формирования минимумами такого потенциала как нульмерных состояний наноэлектростатических квантовых точек, так и двумерных подзон в области GaAs квантовой ямы.


Download PS file (GZipped, 213.3K)  |  Download PDF file (222.3K)


Список работ, цитирующих данную статью, см. здесь.

List of articles citing this article can be found here.