Home
For authors
Submission status

Current
Archive (English)
Archive
   Volumes 61-80
   Volumes 41-60
   Volumes 21-40
   Volumes 1-20
   Volumes 81-92
      Volume 92
      Volume 91
      Volume 90
      Volume 89
      Volume 88
      Volume 87
      Volume 86
      Volume 85
      Volume 84
      Volume 83
      Volume 82
      Volume 81
Search
VOLUME 92 | ISSUE 5 | PAGE 341
Электронно- дырочная жидкость и экситонные молекулы в квазидвумерных SiGe- слоях гетероструктур Si/SiGe/Si
Т. М. Бурбаев, М. Н. Гордеев, Д. Н. Лобанов*, А. В. Новиков*, М. М. Рзаев, Н. Н. Сибельдин, М. Л. Скориков, В. А. Цветков, Д. В. Шепель

Физический институт им. П.Н. Лебедева РАН, 119991 Москва, Россия
*Институт физики микроструктур РАН, 603950 Нижний Новгород, Россия

Abstract
В квантово- размерных SiGe- слоях гетероструктур Si/Si1-xGex/Si II рода обнаружена электронно- дырочная жидкость (ЭДЖ), состоящая из квазидвумерных дырок в квантовой яме в SiGe- слое и квазитрехмерных электронов, также находящихся в этом слое. Определены концентрации дырок и электронов в ЭДЖ, равные p_0\approx 8.5\cdot10^{11} см-2 и n_0 \approx4.8\cdot10^{18} см-3, соответственно. Показано, что газовая фаза состоит из экситонов и экситонных молекул. Установлены требования к зонным параметрам структуры, при выполнении которых возможно образование ЭДЖ и биэкситонов.


Download PS file (GZipped, 425.1K)  |  Download PDF file (450.8K)


Список работ, цитирующих данную статью, см. здесь.

List of articles citing this article can be found here.