Home
For authors
Submission status

Current
Archive (English)
Archive
   Volumes 61-80
   Volumes 41-60
   Volumes 21-40
   Volumes 1-20
   Volumes 81-92
      Volume 92
      Volume 91
      Volume 90
      Volume 89
      Volume 88
      Volume 87
      Volume 86
      Volume 85
      Volume 84
      Volume 83
      Volume 82
      Volume 81
Search
VOLUME 92 | ISSUE 3 | PAGE 208
Экранирование статического возмущения в системе дипольных экситонов
В. М. Ковалев+*, А. В. Чаплик^{+\nabla}
+Институт физики полупроводников Сибирского отд. РАН, 630090 Новосибирск, Россия
*Новосибирский Государственный Технический Университет, 630095 Новосибирск, Россия
^{\nabla}Новосибирский Государственный Университет, 630090 Новосибирск, Россия

Abstract
Теоретически исследуется экранирование локального электростатического возмущения непрямыми экситонами. Показано, что линейное экранирование носит диэлектрический характер, причем эффективная проницаемость может быть большой в случае сильного вырождения бозе-газа экситонов. Появление конденсата существенно меняет поведение потенциала возмущения на бесконечности, приводя к степенным асимптотикам с большими показателями степени. В нелинейном режиме экранированный потенциал насыщается при неограниченном возрастании начального возмущения.


Download PS file (GZipped, 61.2K)  |  Download PDF file (170.2K)


Список работ, цитирующих данную статью, см. здесь.

List of articles citing this article can be found here.