Home
For authors
Submission status

Current
Archive (English)
Archive
   Volumes 61-80
   Volumes 41-60
   Volumes 21-40
   Volumes 1-20
   Volumes 81-92
      Volume 92
      Volume 91
      Volume 90
      Volume 89
      Volume 88
      Volume 87
      Volume 86
      Volume 85
      Volume 84
      Volume 83
      Volume 82
      Volume 81
Search
VOLUME 92 | ISSUE 3 | PAGE 183
О возможности существования глубоких подповерхностных состояний в топологических изоляторах: система PbBi4Te7
С. В. Еремеев+*, Ю. М. Коротеев+, Е. В. Чулков^{\triangle}

+Институт физики прочности и материаловедения Сибирского отд. РАН, 634021 Томск, Россия
*Томский государственный университет, 634050 Томск, Россия
^{\triangle} Donostia International Physics Center (DIPC), and CFM, Centro Mixto CSIC-UPV/EHU,
Departamento de Física de Materiales, UPV/EHU, 20080 San Sebastián, Spain

Abstract
Представлены результаты теоретического исследования объемной и поверхностной электронной структуры PbBi4Te7. Соединение PbBi4Te7 имеет слоистую структуру, содержащую чередующиеся в направлении гексагональной оси пяти- (Bi2Te3) и семислойные (PbBi2Te4) блоки. На основе анализа вызванной спин-орбитальным взаимодействием инвертированности краев запрещенной щели показано, что данное соединение является трехмерным топологическим изолятором. При этом топологические свойства соединения определяются, в основном, слоями PbBi2Te4. На поверхности PbBi4Te7(0001) в окрестности точки \bar\Gamma формируется дираковский конус вне зависимости от типа слоя, формирующего поверхность (Bi2Te3 или PbBi2Te4). Показано, что локализация данного состояния может иметь не только поверхностный, но и глубоко подповерхностный характер.


Download PS file (GZipped, 1668.6K)  |  Download PDF file (556.7K)


Список работ, цитирующих данную статью, см. здесь.

List of articles citing this article can be found here.