Home
For authors
Submission status

Current
Archive (English)
Archive
   Volumes 61-80
   Volumes 41-60
   Volumes 21-40
   Volumes 1-20
   Volumes 81-92
      Volume 92
      Volume 91
      Volume 90
      Volume 89
      Volume 88
      Volume 87
      Volume 86
      Volume 85
      Volume 84
      Volume 83
      Volume 82
      Volume 81
Search
VOLUME 90 | ISSUE 8 | PAGE 630
Температурная зависимость магнетофононных осцилляций сопротивления в GaAs/AlAs гетероструктурах при больших факторах заполнения
А. А. Быков, А. В. Горан
Институт физики полупроводников Сибирского отд. РАН, 630090 Новосибирск, Россия

PACS: 73.23.-b, 73.40.Gk
Abstract
Изучена температурная зависимость магнетополевых осцилляций сопротивления, индуцированных акустическими фононами в 2D системе со средней подвижностью и высокой электронной плотностью в диапазоне T = 7.4-25.4 K. Установлено, что в изучаемой системе амплитуда магнетофононных осцилляций сопротивления определяется квантовым временем жизни, модифицированным электрон-электронным рассеянием, в согласии с результатами, полученными недавно в GaAs/AlGaAs гетероструктуре с ультравысокой подвижностью и малой электронной плотностью [A. T. Hatke et al., Phys. Rev. Lett. 102, 086808 (2009)]. Обнаружен сдвиг основного максимума магнетофононных осцилляций сопротивления с ростом температуры в более сильные магнитные поля.


Download PS file (GZipped, 245.1K)  |  Download PDF file (253.7K)


Список работ, цитирующих данную статью, см. здесь.

List of articles citing this article can be found here.