Home
For authors
Submission status

Current
Archive (English)
Archive
   Volumes 61-80
   Volumes 41-60
   Volumes 21-40
   Volumes 1-20
   Volumes 81-92
      Volume 92
      Volume 91
      Volume 90
      Volume 89
      Volume 88
      Volume 87
      Volume 86
      Volume 85
      Volume 84
      Volume 83
      Volume 82
      Volume 81
Search
VOLUME 89 | ISSUE 11 | PAGE 681
Динамика излучения GaAs микрорезонатора с встроенными квантовыми ямами при высоких плотностях нерезонансного возбуждения
В. В. Белых, М. Х. Нгуен, Н. Н. Сибельдин, М. Л. Скориков, В. А. Цветков, А. В. Шарков
Физический институт им. П.Н. Лебедева РАН, 119991 Москва, Россия

PACS: 71.36.+c, 78.47.+p, 78.45.+h
Abstract
В микрорезонаторе на основе GaAs с встроенными квантовыми ямами изучена временная динамика процесса излучения при высоких уровнях нерезонансного возбуждения пикосекундными лазерными импульсами. При уровнях накачки, превышающих порог лазерной генерации, измерены кинетические зависимости интенсивности, спектрального положения и ширины линии излучения. Установлено, что после импульса возбуждения линия излучения сдвигается в сторону больших энергий в течение некоторого времени, сравнимого с временем достижения максимума интенсивности излучения, а затем движется в обратную сторону к ее положению при низкой поляритонной плотности. Ширина линии излучения максимальна непосредственно после импульса возбуждения и достигает минимума, когда интенсивность стимулированного излучения достигает максимальной величины. Показано, что в начальные моменты времени после импульса возбуждения система находится в режиме слабой экситон- фотонной связи и переходит с течением времени в режим сильной связи.


Download PS file (GZipped, 145.9K)  |  Download PDF file (331.6K)


Список работ, цитирующих данную статью, см. здесь.

List of articles citing this article can be found here.