Home
For authors
Submission status

Current
Archive (English)
Archive
   Volumes 61-80
   Volumes 41-60
   Volumes 21-40
   Volumes 1-20
   Volumes 81-92
      Volume 92
      Volume 91
      Volume 90
      Volume 89
      Volume 88
      Volume 87
      Volume 86
      Volume 85
      Volume 84
      Volume 83
      Volume 82
      Volume 81
Search
VOLUME 89 | ISSUE 11 | PAGE 660
Электронное строение композитных сегментированных нанотрубок SiC/BN
А. С. Романов, А. А. Лисенко, П. М. Силенко, П. Н. Дьячков

Московский энергетический институт, 111250 Москва, Россия Институт проблем материаловедения им. И.Н. Францевича НАН Украины, 03142 Киев, Украина Институт общей и неорганической химии им. Г.С. Курнакова РАН, 119991 Москва, Россия


PACS: 71.20.-b
Abstract
С помощью метода линеаризованных присоединенных цилиндрических волн рассчитана электронная структура сегментированных нанотрубок, составленных из чередующихся слоев нанотрубок BN и SiC (5,5) и (9,0) конфигурации кресло и зигзаг и различающихся ориентацией химических связей в сегментах, а также природой связей (Si-N и B-C или Si-B и N-C) на границах участков BN и SiC. Расчеты проведены с использованием функционала локальной плотности и маффинтин приближения для электронного потенциала. Установлено, что в зависимости от связей на границах сегментов нанотрубки BN/SiC (5,5) являются полупроводниками с шириной запрещенной зоны Eg от 1 до 3 эВ, а нанотрубки BN/SiC (9,0) обладают металлическим, полуметаллическим или полупроводниковым (E_g\sim1 эВ) типом зонной структуры.


Download PS file (GZipped, 504.9K)  |  Download PDF file (636.6K)


Список работ, цитирующих данную статью, см. здесь.

List of articles citing this article can be found here.