Home
For authors
Submission status

Current
Archive (English)
Archive
   Volumes 61-80
   Volumes 41-60
   Volumes 21-40
   Volumes 1-20
   Volumes 81-92
      Volume 92
      Volume 91
      Volume 90
      Volume 89
      Volume 88
      Volume 87
      Volume 86
      Volume 85
      Volume 84
      Volume 83
      Volume 82
      Volume 81
Search
VOLUME 89 | ISSUE 8 | PAGE 483
Экспериментальное обнаружение анизотропии фонон-плазмонных мод в сверхрешетках GaAs/AlAs (100)
В. А. Володин
Институт физики полупроводников Сибирского отд. РАН, 630090 Новосибирск, Россия
Новосибирский государственный университет, 630090 Новосибирск, Россия


PACS: 63.20.Ls
Abstract
С применением методики спектроскопии комбинационного рассеяния света (КРС) были исследованы легированные (n-типа) GaAs/AlAs сверхрешетки (СР) с толщинами слоев GaAs от 1.7 до 6.8 Å, толщина слоев AlAs составляла 13.6 Å. Применение микроприставки для исследования КРС позволило наблюдать при обратном рассеянии моды с волновым вектором как поперек слоев СР, так и вдоль слоев СР (при рассеянии с «торца" СР). Экспериментально обнаружена предсказанная ранее теоретически анизотропия смешанных фонон-плазмонных мод, обусловленная анизотропией эффективной массы электронов в СР второго типа.


Download PS file (GZipped, 140.9K)  |  Download PDF file (256.6K)


Список работ, цитирующих данную статью, см. здесь.

List of articles citing this article can be found here.