Home
For authors
Submission status

Current
Archive (English)
Archive
   Volumes 61-80
   Volumes 41-60
   Volumes 21-40
   Volumes 1-20
   Volumes 81-92
      Volume 92
      Volume 91
      Volume 90
      Volume 89
      Volume 88
      Volume 87
      Volume 86
      Volume 85
      Volume 84
      Volume 83
      Volume 82
      Volume 81
Search
VOLUME 88 | ISSUE 9 | PAGE 702
Генерация и удаление адатом-индуцированных электронных состояний на поверхности Cs/GaAs(001)
А. Г. Журавлев, В. Л. Альперович

Институт физики полупроводников Сибирского отд. РАН, 630090 Новосибирск, Россия Новосибирский государственный университет, 630090 Новосибирск, Россия


PACS: 68.35.Bs, 73.61.Ey, 78.66.Fd
Abstract
На поверхности Cs/GaAs(001) наблюдалось немонотонное поведение изгиба зон \varphi_S как функции цезиевого покрытия θ в виде нескольких максимумов и минимумов, что свидетельствует о формировании квазидискретного спектра адатом-индуцированных поверхностных электронных состояний. Гистерезис зависимости \varphi_S(\theta) при адсорбции и последующей термодесорбции цезия указывает на метастабильность системы Cs/GaAs(001).


Download PS file (GZipped, 223.4K)  |  Download PDF file (304.9K)


Список работ, цитирующих данную статью, см. здесь.

List of articles citing this article can be found here.