Home
For authors
Submission status

Current
Archive (English)
Archive
   Volumes 61-80
   Volumes 41-60
   Volumes 21-40
   Volumes 1-20
   Volumes 81-92
      Volume 92
      Volume 91
      Volume 90
      Volume 89
      Volume 88
      Volume 87
      Volume 86
      Volume 85
      Volume 84
      Volume 83
      Volume 82
      Volume 81
Search
VOLUME 87 | ISSUE 2 | PAGE 119
Эффект самоорганизации наноструктур на поверхности n-GaN(0001) при адсорбции Cs и Ва
Г. В. Бенеманская, В. С. Вихнин, С. Н. Тимошнев

Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе РАН, 194021 Санкт-Петербург, Россия


PACS: 61.68.+n, 73.20.-r, 79.60.-i
Abstract
На поверхности GaN(0001) n-типа создана in situ/ в сверхвысоком вакууме регулярная самоорганизованная 2D наноструктура нового типа - ``наносоты". Наноструктура сформирована в результате многократной послойной адсорбции Cs и Ba. Структура характеризуется высокой степенью регулярности в микродиапазоне, организована в виде сот с диаметром 60-70 нм и высотой стенок \sim7 нм. Обнаружено, что наноструктура обладает квази-металлической проводимостью, малой работой выхода \sim1.4 эВ и высоким квантовым выходом фотоэмиссии при возбуждении светом в области прозрачности GaN. Предложена модель самоорганизации, в которой рассматривается формирование поверхностной 2D длиннопериодической несоразмерной фазы, взаимодействующей со сверхструктурой кластеров ионов Cs+ и Ba2+, с учетом поляронной компенсации на поверхности GaN.


Download PS file (GZipped, 494.1K)  |  Download PDF file (272.5K)


Список работ, цитирующих данную статью, см. здесь.

List of articles citing this article can be found here.