Home
For authors
Submission status

Current
Archive (English)
Archive
   Volumes 61-80
   Volumes 41-60
   Volumes 21-40
   Volumes 1-20
   Volumes 81-92
      Volume 92
      Volume 91
      Volume 90
      Volume 89
      Volume 88
      Volume 87
      Volume 86
      Volume 85
      Volume 84
      Volume 83
      Volume 82
      Volume 81
Search
VOLUME 86 | ISSUE 7 | PAGE 549
Связывающее состояние дырки в двойных квантовых точках Ge/Si
А. И. Якимов, А. И. Никифоров, А. В. Двуреченский

Институт физики полупроводников им. А.В. Ржанова Сибирского отд. РАН, 630090 Новосибирск, Россия


PACS: 73.20.Mf, 73.50.Pz
Abstract
Методом спектроскопии комплексной проводимости (адмиттанса) исследована эмиссия дырок из связывающего состояния двухатомных искусственных молекул, образованных вертикально сопряженными квантовыми точками Ge/Si(001). Обнаружено, что при толщине барьерного слоя Si между квантовыми точками Ge больше 2.5 нм энергия связи дырки в искусственной молекуле становится меньше энергии ионизации одиночной квантовой точки, что противоречит результатам квантовомеханической модели молекулярных связей и свидетельствует об определяющей роли механических напряжений в формировании связывающей орбитали в системе упруго напряженных квантовых точек.


Download PS file (GZipped, 222.8K)  |  Download PDF file (316.8K)


Список работ, цитирующих данную статью, см. здесь.

List of articles citing this article can be found here.