Home
For authors
Submission status

Current
Archive (English)
Archive
   Volumes 61-80
   Volumes 41-60
   Volumes 21-40
   Volumes 1-20
   Volumes 81-92
      Volume 92
      Volume 91
      Volume 90
      Volume 89
      Volume 88
      Volume 87
      Volume 86
      Volume 85
      Volume 84
      Volume 83
      Volume 82
      Volume 81
Search
VOLUME 86 | ISSUE 5 | PAGE 397
Релаксация механических напряжений в массиве квантовых точек Ge, полученных в Si
А. Б. Талочкин, В. А. Марков, В. И. Машанов
Институт физики полупроводников Сибирского отд. РАН, 630090 Новосибирск, Россия

PACS: 73.21.La
Abstract
Исследовано комбинационное рассеяние света (КРС) на оптических фононах в Si/Ge/Si структурах с квантовыми точками (QD) Ge, выращенными с помощью молекулярно лучевой эпитаксии в области низких температур 200-300°C. Получено псевдоморфное состояние массива QD Ge к Si матрице с идеально резкой границей раздела. В спектрах КРС обнаружены особенности, связанные с неупругой релаксацией механических напряжений. Выделены два механизма релаксации напряжений. Показано, что в результате неоднородного характера релаксации спектр электронных состояний массива значительно отличается от набора дискретных уровней отдельной QD.


Download PS file (GZipped, 202.5K)  |  Download PDF file (285.4K)


Список работ, цитирующих данную статью, см. здесь.

List of articles citing this article can be found here.