Home
For authors
Submission status

Current
Archive (English)
Archive
   Volumes 61-80
   Volumes 41-60
   Volumes 21-40
   Volumes 1-20
   Volumes 81-92
      Volume 92
      Volume 91
      Volume 90
      Volume 89
      Volume 88
      Volume 87
      Volume 86
      Volume 85
      Volume 84
      Volume 83
      Volume 82
      Volume 81
Search
VOLUME 86 | ISSUE 5 | PAGE 370
Фотонные кристаллы с заданной шириной запрещенной зоны
В. В. Абрамова, А. С. Синицкий, Ю. Д. Третьяков
Факультет наук о материалах, Московский государственный университет им. М.В. Ломоносова, 119991, Москва, Россия

PACS: 42.70.Qs
Abstract
Предложен новый метод создания фотонных кристаллов с тщательно контролируемой шириной фотонной запрещенной зоны. Метод основан на синтезе фотонного кристалла типа A1-xBx с контролируемым значением параметра x на основе двух изоструктурных фотонных кристаллов А и B, таких, что ширина фотонной запрещенной зоны кристалла А меньше, а кристалла B - больше требуемой. Метод продемонстрирован на примере инвертированного опала состава (100-x) мол. % SiO2 - x мол.% ZnO, для которого относительная ширина стоп-зоны монотонно возрастала при увеличении параметра x.


Download PS file (GZipped, 757K)  |  Download PDF file (810.4K)


Список работ, цитирующих данную статью, см. здесь.

List of articles citing this article can be found here.