Home
For authors
Submission status

Current
Archive (English)
Archive
   Volumes 61-80
   Volumes 41-60
   Volumes 21-40
   Volumes 1-20
   Volumes 81-92
      Volume 92
      Volume 91
      Volume 90
      Volume 89
      Volume 88
      Volume 87
      Volume 86
      Volume 85
      Volume 84
      Volume 83
      Volume 82
      Volume 81
Search
VOLUME 86 | ISSUE 4 | PAGE 274
Стационарный и высокочастотный дырочный транспорт в гетероструктурах p-Si/SiGe в ультраквантовом пределе
И. Л. Дричко+, И. Ю. Смирнов+, А. В. Суслов*, Ю. М. Гальперин^{+\square\triangle}, В. М. Винокур^\triangle, М. Миронов^\nabla, О. А. Миронов^{\circ\S}

+Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе РАН, 194021 С.-Петербург, Россия *National High Magnetic Field Laboratory, Tallahassee, FL 32310, USA ^\squareDepartment of Physics and Center for Advanced Materials & Nanotechnology, University of Oslo, 0316 Oslo, Norway ^\triangleArgonne National Laboratory, Argonne, IL 60439, USA ^\nablaMusashi Institute of Technology, 8-15-1 Todoroki, Setagaya-ku, Tokyo, Japan °University of Warwick Science Park, Venture Centre, Sir William Lyons Road, Coventry CV4 7EZ, UK ^\SInternational Laboratory of High Magnetic Fields and Low Temperature, 50-985 Wroclaw 47, Poland


PACS: 73.23.-b, 73.43.-f, 73.50.Rb
Abstract
Комплексная высокочастотная (ВЧ), σAC1-i σ2, и статическая σDC проводимости, а также вольт-амперные характеристики (ВАХ) измерены в гетероструктурах p-Si/SiGe с низкой концентрацией дырок (p=8.2\times10^{10} см-2) при температурах T=0.3-4.2 К в ультраквантовом пределе, когда число заполнения ν <1. Для определения компонентов ВЧ проводимости использовалась акустическая бесконтактная методика в «гибридной конфигурации", когда поверхностная акустическая волна (ПАВ) распространялась по поверхности пьезоэлектрика LiNbO3, а гетероструктура прижималась к ней пружинкой. σ1 и σ2 определялись из величин затухания и скорости поверхностных акустических волн, одновременно измеренных при изменении магнитного поля. Обнаруженные особенности ВЧ проводимости: \sigma_1 \gg|\sigma_2|, отрицательный знак σ2, пороговый характер ВАХ, зависимость I\propto \exp (-A/V^{0.3}) в предпороговой области свидетельствуют в пользу образования в ультраквантовом пределе (T=0.3-0.8 К, B>14 Тл) запиннингованного вигнеровского кристалла (стекла).


Download PS file (GZipped, 318.4K)  |  Download PDF file (403.9K)


Список работ, цитирующих данную статью, см. здесь.

List of articles citing this article can be found here.