Home
For authors
Submission status

Current
Archive (English)
Archive
   Volumes 61-80
   Volumes 41-60
   Volumes 21-40
   Volumes 1-20
   Volumes 81-92
      Volume 92
      Volume 91
      Volume 90
      Volume 89
      Volume 88
      Volume 87
      Volume 86
      Volume 85
      Volume 84
      Volume 83
      Volume 82
      Volume 81
Search
VOLUME 84 | ISSUE 9 | PAGE 596
Асимметричный реконструкционный фазовый переход \boldsymbol{c(4\times 4)\to \gamma(2\times 4)} на поверхности (001) GaAs
Ю. Г. Галицын, Д. В. Дмитриев, В. Г. Мансуров, С. П. Мощенко, А. И. Торопов

Институт физики полупроводников Сибирского отд. РАН, 630090 Новосибирск, Россия


PACS: 64.60.-i, 68.35.Bs
Abstract
Экспериментально исследован фазовый реконструкционный переход c(4\times 4) \gamma(2\times 4) на поверхности (001)GaAs. Показано, что фазовый переход является переходом первого рода. Обнаружена сильная асимметрия гистерезиса фазового перехода. В рамках теории среднего поля фазового перехода, индуцированного адсорбцией, различия прямого и обратного хода гистерезиса объяснены существенным вкладом латерального многочастичного взаимодействия в адсорбате.


Download PS file (GZipped, 440.1K)  |  Download PDF file (253.7K)


Список работ, цитирующих данную статью, см. здесь.

List of articles citing this article can be found here.