Home
For authors
Submission status

Current
Archive (English)
Archive
   Volumes 61-80
   Volumes 41-60
   Volumes 21-40
   Volumes 1-20
   Volumes 81-92
      Volume 92
      Volume 91
      Volume 90
      Volume 89
      Volume 88
      Volume 87
      Volume 86
      Volume 85
      Volume 84
      Volume 83
      Volume 82
      Volume 81
Search
VOLUME 83 | ISSUE 10 | PAGE 525
Спин-зависимая фотоэмиссия, обусловленная скачком g-фактора электронов на интерфейсе p-GaAs(Cs,O)-вакуум
Д. А. Орлов^{+\triangle}, В. Л. Альперович+*, А. С. Терехов+*
+Институт физики полупроводников Сибирского отделения РАН, 630090 Новосибирск, Россия
*Новосибирский государственный университет, 630090 Новосибирск, Россия
^{\triangle}Max-Planck-Institut für Kernphysik, D-69117 Heidelberg, Germany


PACS: 78.20.Ls, 78.55.Cr, 79.60.-i
Abstract
Экспериментально обнаружено, что в присутствии магнитного поля вероятность выхода электронов из p-GaAs(Cs,O) в вакуум зависит от знака циркулярной поляризации возбуждающего света. Основной причиной эффекта является скачок g-фактора электронов на границе полупроводник - вакуум (от g*=-0.44 в GaAs до g0=2 в вакууме). В результате скачка g-фактора величина эффективного электронного сродства оказывается зависящей от взаимной ориентации спина оптически ориентированных электронов и магнитного поля, что и приводит к спин-зависимой фотоэмиссии.


Download PS file (GZipped, 162.7K)  |  Download PDF file (264.6K)


Список работ, цитирующих данную статью, см. здесь.

List of articles citing this article can be found here.